Силовая электроника – 3 семестр МОИ (МТИ)

Примерные вопросы и ответы на итоговый и компетентностный тест.

Завалены делами? Мы берём эту головную боль на себя: выполняем тесты безупречно, анонимно, и точно в срок.

Так же выполняем ответы на тесты, курсовые работы, практики и дипломы в Синергии, МОИ, МТИ МОСАП.

Вопрос
В структуре биполярного транзистора крайний слой, являющийся источником носителей зарядов, называется
Транзисторы Дарлингтона используют для
Какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия
К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся
К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся
К новым типам комбинированных транзисторов относятся
В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют
При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих вертикальный канал, образуется паразитный
К аппаратам низкого напряжения не относятся
К аппаратам высокого напряжения, служащим для отключения цепи от тока при ремонте электрооборудования, относятся
К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся
По методу управления биполярными транзисторами различают следующие режимы работы
Диодная оптронная развязка информационного сигнала в ФИУ обеспечивает
Входной ток оптронов в статическом режиме составляет
Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными транзисторами
Для ограничения напряжения на затворе полевого транзистора параллельно выходному узлу драйвера включают
Наибольшее распространение нашли следующие способы управления вентильными преобразователями
В цифровой системе управления сигнал с выхода схемы сравнения
Для защиты от перегрузок по напряжению под воздействием питающей сети используют
Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с характером подключенной нагрузки, используют
Для уменьшения влияния паразитных индуктивностей не рекомендуют выполнять монтаж силовой схемы с помощью
Управляющий параметр M, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от
С точки зрения обеспечения безопасной работы транзистора необходимо
Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 100 Гц
Не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в
В режиме лавинного пробоя силового диода
Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна
Динамическими параметрами силового диода являются